歴代受賞者略歴

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細野秀雄 博士

2016年(第32回)Japan Prize受賞者

授賞対象分野
物質、材料、生産
授賞業績
ナノ構造を活用した画期的な無機電子機能物質・材料の創製
記念講演
元素戦略と未来材料
国籍: 日本
生年月日 1953年9月7日
学歴:
1977年 東京都立大学工学部工業化学科卒
1982年 東京都立大学大学院工学研究科博士課程修了
1982年 工学博士
職歴:
1982年 名古屋工業大学工学部助手
1988-1989年 米国バンダービルト大学博士研究員
1990年 名古屋工業大学工学部助教授
1993年 東京工業大学工業材料研究所助教授
1995年 岡崎国立共同研究機構分子科学研究所助教授
1997年 東京工業大学応用セラミックス研究所助教授
1999年-現在 東京工業大学 科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所 教授
2004-2014年 東京工業大学フロンティア研究機構教授
2012年-現在 東京工業大学元素戦略研究センター長
2011年-現在 日本学術会議会員
所属機関:
  • 東京工業大学 科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所
    〒226-8503 横浜市緑区長津田町4259
主要論文等:
  1. H. Hosono, N. Kikuchi, N. Ueda, and H. Kawazoe: Working Hypothesis to Explore Novel Wide Band Gap Electrically Conducting Amorphous Oxides and Examples, J.Non-Cryst.Sol., 198-200,165-169 (1996).
  2. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Room-Temperature Fabrication of Transparent Flexible Thin Film Transistors Using Amorphous Oxide Semiconductors, Nature, 432, 488-492 (2004).
  3. S. Matsuishi, Y. Toda, M. Miyakawa, K. Hayashi, K. Kamiya, M. Hirano, I.Tanaka, and H.Hosono: High-Density Electron Anions in a Nanoporous Single Crystal: [Ca24Al28O64]4+(4e-), Science, 301, 626-629 (2003).
  4. M. Kitano, Y. Inoue, Y. Yamazaki, F. Hayashi, S. Kanbara, S. Matsuishi, T. Yokoyama, S.-W. Kim, M. Hara, and H. Hosono: Ammonia synthesis using a stable electride as an electron donor and reversible hydrogen store, Nat. Chem., 4,934-940(2012).
  5. Y. Kamihara, T. Watanabe, M. Hirano, and H. Hosono: Iron-Based Layered Superconductor La[O1-xFx]FeAs (x = 0.05-0.12) with Tc= 26 K, J. Am. Chem. Soc., 130, 3296-3297 (2008).
主な受賞歴:
  • 1991年 1st Otto-Schott Research Award
  • 1994年 W. H. Zachariasen Award
  • 2009年 藤原賞、紫綬褒章、B.T. Matthias Prize
  • 2011年 Jan Rajchman Prize、朝日賞、応用物理学会業績賞
  • 2012年 仁科記念賞
  • 2013年 日本化学会賞、本多記念賞、トムソン・ロイター引用栄誉賞
  • 2015年 J.C. McGroddy Prize 、恩賜賞・日本学士院賞

(2016年1月現在)

Japan Prize歴代受賞者による社会貢献

受賞者

Japan Prize 30年の歩み

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