2016 Japan Prize受賞者

• 授賞対象分野：
  物質、材料、生産
• 授賞業績：
  ナノ構造を活用した画期的な無機電子機能物質・材料の創製
• 記念講演：
  元素戦略と未来材料

主な受賞歴

1991年	1st Otto-Schott Research Award
1994年	W. H. Zachariasen Award
2009年	藤原賞、紫綬褒章、B.T. Matthias Prize
2011年	Jan Rajchman Prize、朝日賞、応用物理学会業績賞
2012年	仁科記念賞
2013年	日本化学会賞、本多記念賞、トムソン・ロイター引用栄誉賞
2015年	J.C. McGroddy Prize 、恩賜賞･日本学士院賞

学歴

1977年	東京都立大学工学部工業化学科卒
1982年	東京都立大学大学院工学研究科博士課程修了
1982年	工学博士

職歴

1982年	名古屋工業大学工学部助手
1988-1989年	米国バンダービルト大学博士研究員
1990年	名古屋工業大学工学部助教授
1993年	東京工業大学工業材料研究所助教授
1995年	岡崎国立共同研究機構分子科学研究所助教授
1997年	東京工業大学応用セラミックス研究所助教授
1999年-現在	東京工業大学 科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所　教授
2004-2014年	東京工業大学フロンティア研究機構教授
2012年-現在	東京工業大学元素戦略研究センター長
2011年-現在	日本学術会議会員

所属機関

• 東京工業大学 科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所
  〒226-8503　横浜市緑区長津田町４２５９

主要論文等

• H. Hosono, N. Kikuchi, N. Ueda, and H. Kawazoe: Working Hypothesis to Explore Novel Wide Band Gap Electrically Conducting Amorphous Oxides and Examples, J.Non-Cryst.Sol., 198-200,165-169 (1996).
• K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Room-Temperature Fabrication of Transparent Flexible Thin Film Transistors Using Amorphous Oxide Semiconductors, Nature, 432, 488-492 (2004).
• S. Matsuishi, Y. Toda, M. Miyakawa, K. Hayashi, K. Kamiya, M. Hirano, I.Tanaka, and H.Hosono: High-Density Electron Anions in a Nanoporous Single Crystal: [Ca₂₄Al₂₈O₆₄]4⁺(4e^-), Science, 301, 626-629 (2003).
• M. Kitano, Y. Inoue, Y. Yamazaki, F. Hayashi, S. Kanbara, S. Matsuishi, T. Yokoyama, S.-W. Kim, M. Hara, and H. Hosono: Ammonia synthesis using a stable electride as an electron donor and reversible hydrogen store, Nat. Chem., 4,934-940(2012).
• Y. Kamihara, T. Watanabe, M. Hirano, and H. Hosono: Iron-Based Layered Superconductor La[O_1-xF_x]FeAs (x = 0.05-0.12) with Tc= 26 K, J. Am. Chem. Soc., 130, 3296-3297 (2008).